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當前位置:首頁產品中心分立半導體模塊IGBT模塊BYM系列英飛凌二極管IGBT模塊BYM600A/300B170DN2

英飛凌二極管IGBT模塊BYM600A/300B170DN2

產品簡介

IGBT最常見的應用形式是模塊。大電流和大電壓環境多使用IGBT模塊,IHS數據顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊,主要應用于中小功率變頻系統。IGBT模塊主要有五種結構。以2 in 1模塊為例,模塊中封裝了兩組芯片,根據電流或功率要求不同每組可并聯多顆IGBT芯片( IGBT芯片與FRD一一對應)英飛凌二極管IGBT模塊BYM600A/300B170DN2

產品型號:BYM系列
更新時間:2024-06-24
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品牌其他品牌應用領域醫療衛生,電子,交通,航天,汽車
產品種類半導體模塊電源電壓1700V
電源電流300-600A封裝標準封裝
模塊二極管顏色白色/黑色

                    英飛凌二極管IGBT模塊BYM600A/300B170DN2

功率器件是電子裝置電能轉換與電路控制的核心,主要用于改變電壓和頻率。主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等,同時具有節能功效。功率半導體器件廣泛應用于移動通訊、消費電子、新能源交通、軌道交通、工業控制、發電與配電等電力、電子領域,涵蓋低、中、高各個功率層級。

近年來,由于新能源汽車以及風光儲的強勢需求,功率半導體中,IGBT用量大幅增加,目前IGBT的交貨周期在50周以上。車用IGBT大廠此前表示,自家車用IGBT訂單已滿載,但IGBT仍處于緊缺狀態。業內分析師則認為,IGBT的供需缺口大約在40%-50%左右。

IGBT屬于雙極型、硅基功率半導體,具有耐高壓特性。融合了BJT(Bipolarjunction transistor,雙極型三極管)和MOSFET 的性能優勢 , 結構為MOSFET+一個BJT,兼具BJT大電流增益和MOS壓控易于驅動的優勢,自落地以來在工業領域逐步替代MOSFET和BJT,目前廣泛應用于650-6500V的中高壓領域,屬于功率器件領域*發展前景的賽道。英飛凌二極管IGBT模塊BYM600A/300B170DN2   帶 EC2 的 62 mm 1700 V 二極管 塊。


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