SKiiP*功率范圍0.5至6MW的風(fēng)力發(fā)電機(jī)的特定要求。除了風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用外，SKiiP模塊還可用于電梯、太陽能和軌道交通應(yīng)用——事實(shí)上，動(dòng)力強(qiáng)勁且安全可靠的IGBT IPM在任何領(lǐng)域都是*的。SKi...
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SKiiP*功率范圍0.5至6MW的風(fēng)力發(fā)電機(jī)的特定要求。除了風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用外，SKiiP模塊還可用于電梯、太陽能和軌道交通應(yīng)用——事實(shí)上，動(dòng)力強(qiáng)勁且安全可靠的IGBT IPM在任何領(lǐng)域都是*的。SKi...
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SKiiP IPM產(chǎn)品系列為高性能和穩(wěn)健的逆變器設(shè)計(jì)樹立了一個(gè)基準(zhǔn)。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度，結(jié)合靈活的冷卻選項(xiàng)，如風(fēng)冷和水冷卻或定制的散熱器。可靠的驅(qū)動(dòng)技術(shù)、集成的電流傳感器和...
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得益于銀燒結(jié)和高性能冷卻器技術(shù)，SKiiP提高了對(duì)苛刻的電源循環(huán)條件的可靠性。與傳統(tǒng)的焊接方法相比，燒結(jié)技術(shù)延長(zhǎng)了工作壽命，提高了對(duì)主動(dòng)和被動(dòng)熱循環(huán)的彈性。SKiiP 4數(shù)字驅(qū)動(dòng)器降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜性也減...
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IGBT 在開通過程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。td(on) 為開通延遲時(shí)間，tri 為電流上...
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賽米控提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊，支持不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、額定電流和電壓。這些IGBT模塊的電流范圍為4A至1400A，電壓級(jí)別...
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IGBT動(dòng)態(tài)特性是 ：IGBT 在開通過程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。td(on) 為開通延遲...
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IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電...
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西門康IGBT驅(qū)動(dòng)板 包括三大類：Driver驅(qū)動(dòng)板、Driver Core驅(qū)動(dòng)芯、Adaptor Board適配板，適于驅(qū)動(dòng)600V、1200V、1700V三種電壓等級(jí)的IGBT模塊。IGBT模塊具...
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IGBT,絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓...
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SEMITRANS是一種穩(wěn)健的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子。SEMITRANS封裝采用低電感設(shè)計(jì)，可用于20kW至500kW的逆變器。通過多渠道采購的IGBT以及賽米控CAL二極管...
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