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MOS管導(dǎo)通特性，導(dǎo)通的意義是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適宜用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動），只需柵極電壓抵達(dá)4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小...

IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、...

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注意事項(xiàng)：測正向?qū)▔航禃r(shí)，必須使用R×1檔。若用R×1k檔，因測試電流太小，遠(yuǎn)低于管子的正常工作電流，故測出的VF值將明顯偏低。在上面例子中，如果選擇R×1k檔測量，正...

超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內(nèi)部包含兩只快恢復(fù)...

快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向...