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快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性...

快恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I，構成PIN硅片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向...

快恢復二極管（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復二極...

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交...

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；...

IGBT發展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發展高壓變頻器的應用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡化調試工作等，都與IGBT有密切的內在聯系...

IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、...

在供電系統中，MOS管的主要作用的是穩壓。MOS管芯片在制作完成之后，需要給MOSFET芯片加上一個外殼，即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護、冷卻的作用，同時還為芯片提供電氣連接和隔...

MOS管導通特性，導通的意義是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適宜用于源極接地時的情況（低端驅動），只需柵極電壓抵達4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小...

MOS場效應晶體管通常簡稱為場效應管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件。和普通雙極型晶體管相比擬，場效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特性，場效應管的品種很多，主要分為結...