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MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導體。MOS管的Source和Drain是可以對調的...

MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型場效應管，屬于場效應管中的絕緣柵型。因此，M...

MOS具有以下特點：開關速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩定性優良、無二次擊穿問題、全工作區寬、工作線性度高等。其最重要的有點就是能夠減少體積大小與重量，提供給設計者一種高速度、高功率...

mos管在電路中一般用作電子開關，在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路，漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是M...

IGBT最常見的應用形式是模塊。大電流和大電壓環境多使用IGBT模塊，IHS數據顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應用于中小功率變頻系統。IGBT模塊主要有五種結構。以2 ...

在電動汽車的“三電”方面，TESLA的Model S使用的三相異步驅動電機，其中每一相的驅動控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片，三相共需要使用84顆IGBT芯片。算算總量，就可知需求的龐大。此外，充...

由于系統結構的問題，有時驅動板不能直接焊在或是螺絲擰在IGBT上，而是通過線纜連接到IGBT的輔助端子。連同驅動電路本身的輸出雜散電感和IGBT內部的柵極綁定線雜散電感一起，構成了柵極回路電感Lg。它...

IGBT開通性能而言，有兩個比較重要的表現指標：一個是開通時橋臂電流的變化率di/dt，另一個是器件從關斷狀態到導通狀態所產生的開通損耗。前者如果太高，續流二極管（FWD）也會有一個很快的反向恢復過程...

如今，IGBT已被廣泛應用于工業電源領域。與MOSFET相同，它也是一種壓控型器件。其開關性能可通過IGBT驅動設置加以控制或影響。優化IGBT開關性能對于系統設計而言十分重要，因為不同的開關損耗會影...

德國infineon公司生產的IGBT模塊品種繁多，為了使客戶選型方便，我們對其按電壓等級進行分類，共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、3300V、4500V/6500V五種電...